填补 TSV 和传统 WLFO/FOWLP 之间的差距

我们的一流硅晶圆集成扇出式技术 (SWIFT®) 减小单晶粒和多晶粒应用的面积和剖面,并增加 I/O 的数量及电路密度。

SWIFT 的独特特性要部分归功于与此项创新晶圆级封装技术相关的小节距功能。与传统的 WLFO 和基于层压板的组装相比,它使应用积极主动的设计规则成为现实。另外,SWIFT 还能被用于建立先进的 3D 结构,以应对新兴移动和网络应用中日益高涨的 IC 集成需求。

SWIFT 的特色包括:

  • 聚合物基电介质
  • 多晶粒和大晶粒封装
  • 大体积封装
  • 互连密度缩小至 2 微米节距(SoC 划分应用的关键)
  • 铜柱晶粒互连缩小至 30 微米节距
  • 采用穿塑通孔 (TMV®) 或高铜柱的 3D/层叠封装功能
  • 符合 JEDEC MSL3 CLR 和 BLR 的要求

关键组装技术让此类独特的 SWIFT 功能成为可能。通过步进式成像设备实现 2/2 微米节距,以及 SoC 划分和网络应用中的极高密度晶粒连接,此类设备通常会采用 2.5D TSV。小节距晶粒微凸块为先进产品提供高密度互连,例如,处理器和基带设备等。除此以外,高铜柱实现高密度垂直接口,以便于在 SWIFT 结构顶部贴装先进的储存器设备。

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