Bridge the gap between TSV and traditional WLFO/FOWLP

当社の受賞歴のあるSWIFT®(Silicon Wafer Integrated Fan-out Technology)技術は、シングルチップおよびマルチチップ向けにサイズと高さを低減しながら同時にI/Oおよび回路密度を増加させるためにデザインされています。

SWIFTの特徴は、この革新的なウェハレベルパッケージ技術に関連した優れた機能によりもたらされます。これは従来のWLFOやラミネートベースの組立と比較してよりアグレッシブなデザインルールの適用を可能にします。さらに、SWIFTは最新のモバイルおよびネットワーキングアプリケーションでのデバイスインテグレーションの増加に対応した高度な3D構造を可能にします。

Unique SWIFT features include:

  • ポリマーベース誘電体
  • マルチチップ、大型チップに対応
  • 大型パッケージボディに対応
  • 接続密度 2μmライン/スペースまで可能(SoCパーテショニングアプリケーションに貢献)
  • Cuピラーチップ接続30μmピッチ対応
  • スルーモールドビア(TMV®)または高さのあるCuピラーを利用した3D/パッケージ・オン・パッケージ対応
  • JEDEC MSL3 CLR/BLRに適合

主要な組立技術により、SWIFTの製造が可能になります。ステッパー装置を使用して2/2μmライン/スペースが実現でき、通常2.5DのTSVが使用されるSoCパーテショニングおよびネットワーク機器に求められる高密度のチップ間の接続が可能になります。ファインピッチチップのマイクロバンプは、アプリケーションプロセッサーやベースバンド機器などの先端製品向けに高密度の接続を提供します。さらに、高さのあるCuピラーは、SWIFTの最上部に高度なメモリを実装するための高密度積層インターフェイスを可能にします。

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