Bridge the gap between TSV and traditional WLFO/FOWLP

受賞歴のある当社の Silicon Wafer Integrated Fan-out Technology(SWIFT®/HDFO)は、シングルおよびマルチチップのパッケージにおいてフットプリントとプロファイルを縮小しながら、I/Oと回路密度の向上を実現します。

SWIFTの特徴は、革新的なウェハレベルパッケージング技術に関する優れた機能によりもたらされます。これは従来のWLFOやラミネートベースの組立と比較してよりアグレッシブなデザインルールの適用を可能にします。さらに、SWIFTは最新のモバイルおよびネットワーキングアプリケーションでのICインテグレーションの増加に対応する高度な3D構造を可能にします。

Unique SWIFT features include:

  • ポリマーベース誘電体
  • マルチチップ、大型チップに対応
  • 大型パッケージボディ対応
  • 接続密度 2μmライン/スペースまで可能(SoCパーテショニングアプリケーションに貢献)
  • Cuピラーチップ接続:30μmピッチに対応
  • スルーモールドビア(TMV®)または高さのあるCuピラーを利用した3D/(パッケージ・オン・パッケージ)対応
  • JEDEC MSL3 CLR/BLRに適合

主要な組立技術により、この特色あるSWIFTパッケージの製造が可能となります。ステッパー装置を使用することで、2/2μmライン/スペースが実現でき、通常2.5DのTSVが使用されるSoCパーティショニングおよびネットワーク機器に求められる高密度のチップ間接続が可能になります。ファインピッチチップのマイクロバンプは、アプリケーションプロセッサーやベースバンド機器などの先端製品向けに高密度接続を提供します。さらに、高さのあるCuピラーが、SWIFTの最上部に高度なメモリを実装するための高密度積層インターフェイスを可能にします。

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