Bridge the gap between TSV and traditional WLFO/FOWLP

当社の受賞歴のあるSWIFT®(Silicon Wafer Integrated Fan-out Technology)技術は、シングルチップおよびマルチチップ向けにサイズと高さを低減しながら同時にI/Oおよび回路密度を増加させるためにデザインされています。

SWIFTの特徴は、革新的なウェハレベルパッケージング技術に関する優れた機能によりもたらされます。これは従来のWLFOやラミネートベースの組立と比較してよりアグレッシブなデザインルールの適用を可能にします。さらに、SWIFTは最新のモバイルおよびネットワーキングアプリケーションでのICインテグレーションの増加に対するニーズに対応する高度な3D構造を可能にします。

Unique SWIFT features include:

  • ポリマーベース誘電体
  • マルチチップ、大型チップに対応
  • 大型パッケージボディに対応
  • 接続密度 2μmライン/スペースまで可能(SoCパーテショニングアプリケーションに貢献)
  • Cuピラーチップ接続:30μmピッチに対応
  • スルーモールドビア(TMV®)または高さのあるCuピラーを利用した3D/パッケージ・オン・パッケージ対応
  • JEDEC MSL3 CLR/BLRに適合

主要な組立技術により、この特色あるSWIFTパッケージの製造が可能となります。ステッパー装置を使用することで、2/2μmライン/スペースが実現でき、通常2.5DのTSVが使用されるSoCパーティショニングおよびネットワーク機器に求められる高密度のチップ間接続が可能になります。ファインピッチチップのマイクロバンプは、アプリケーションプロセッサーやベースバンド機器などの先端製品向けに高密度接続を提供します。さらに、高さのあるCuピラーが、SWIFTの最上部に高度なメモリを実装するための高密度積層インターフェイスを可能にします。

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