电和热性能优化功率封装

PowerCSP™ 是一种芯片级功率晶体管封装。它具有简单的结构,出色的电和热性能,以及能克服分立或集成封装挑战的高密度外观规格。

该封装的特性:

  • 30-70% 的封测产品内含有高比例导电材料
  • 兼容 CMOS、氮化镓和碳化硅
  • 双面功率封装中的定制和标准引脚布局
  • 直接连接源极和漏极到印刷电路板
  • 集成功率构件
  • 比其他分立封装的电阻 (Rds) 和电感 (Lds) 更低,并且具有更出色的电容 (Ciss) 性能
  • 减少热和电接口
  • 缩小外观规格,芯片级封装 (CSP)

全新开发

  • 与传统分立封装相比,消除产生损耗的接口
  • 最大程度扩大源极和漏极的连接面积
  • 简单的封装结构,消除夹片和线路,以实现源极/漏极/门极的直接连接
PowerCSP

应用

PowerCSP™ 适用于功率应用,且专为低导通电阻
和高速切换式 MOSFET 而量身定制,例如:

  • 直流-直流转换
  • 电动和混合电动汽车
  • 电信/数据中心

 

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