SWIFT® 的特色包括：
- 聚合物电介质
- 多晶粒和大晶粒封装
- 大尺寸封装能力
- 互连密度缩小至 2/2 μm
- 铜柱晶片互连缩小至 30 微米间距
- 3D/层叠封装功能采用穿塑通孔 (TMV®) 或高铜柱
- 符合 JEDEC MSL2a、MSL3 CLR 和 BLR 要求
SWIFT® 封装的促成技术
关键封装技术让此类独特的 SWIFT® 功能成为可能。通过步进式成像设备实现 2/2 微米间距，以及 SoC 划分和网络应用中的极高密度晶片连接，此类芯片通常会采用 2.5D TSV。小间距晶片微凸块为先进产品提供高密度互连，例如，处理器和基带设备等。除此以外，高铜柱实现高密度垂直接口，以便于在 SWIFT® 结构顶部贴装先进的储存器设备。
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