Amkor 的广受好评的介质层层叠封装（介质层 PoP）平台通过采用非导电胶 (TCNCP) 的热压焊和采用毛细管底部填充 (CUF) 的大规模回流焊来支持小节距倒装芯片连接。顶端介质层连接以铜核球 (CCB) 热压缩焊接的形式得以实现。底端基板和介质层之间的 CCB 连接使高速且高密度互连至介质层贴装器件成为可能。这种高可靠的封装运用环氧树脂模塑化合物对两片基板之间的晶片进行塑封，从而降低单位翘曲。顶端介质层则大幅提高顶部贴装的灵活性（相对于限制更多的穿塑通孔 (TMV®)），而且能与各种器件兼容（已封装的存储器、被动元件、晶片，等等）。
底端基板和介质层之间的小节距连接实现了高密度的大量 I/O 互连。相对于 TMV 加工，介质层 PoP 加工通过采用更小节距互连增加晶片尺寸而无需增加封装尺寸。Amkor 拥有量产介质层 PoP 的经验，最先进的硅节点低至 4 nm，小于 4 nm 的项目正在持续开发中。Amkor 迄今为止已为大量客户组装上亿件高性能器件。
特色
- 10-16 mm 封装尺寸（普通）； 按要求定制封装尺寸
- 灵活适用于各种顶部连接（晶片、被动元件，等等）的顶端封装 I/O 接口
- 可提供晶圆减薄/加工 <100 μm
- 成熟的层叠封装 (PoP) 平台， 始终不变的产品性能和可靠性
- 完善的大批量制造封装技术
- 适用于各种配置的堆叠封装高度，小至 0.55 mm
- 顶端和底端基板之间的直接高密度电连接降低了延迟并提高了信号速度
- 通过采用 EMC 密封两片基板之间的晶片实现了低单位翘曲
- 相对于限制更多的 TMV 互连，顶端介质层大幅提高了顶部贴装的灵活性
- 由于介质层 PoP 封装设计，顶端介质层可与各种器件兼容 （已封装的存储器、被动元件和晶片等）
- 小节距 CCB 连接和顶端介质层扇出型布线实现了高密度的大量 I/O 互连
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