S-SWIFT 是一种革命性的新型封装技术
基板-SWIFT（S-SWIFT）技术，也称为（基板上）硅晶圆集成扇出式技术，正在彻底改变先进封装领域。S-SWIFT 技术通过提高 I/O 和电路密度，同时缩小尺寸与外形，成为单晶粒和多晶粒应用的首选解决方案，完美满足移动和网络设备对更高 IC 集成度日益增长的需求。
S-SWIFT 改变了异构 IC 封装领域的游戏规则，实现多个小芯片和存储器的高性能、低成本集成。该技术不仅增加了 I/O 和电路密度，而且为先进的 3D 结构发展铺平了道路，使其成为下一代移动和网络应用中不可或缺的组成部分。S-SWIFT 技术非常适合需要大封装尺寸和高 I/O 密度 (>1000) 的应用。
扇出式技术与基板的结合
S-SWIFT 是 2.5D TSV 的创新替代品，是一种扇出式封装，可提高芯片性能并降低成本。S-SWIFT 通过将芯片倒装到高引脚数的球栅阵列 (BGA) 基板上，并结合再布线层 (RDL) 实现更短的晶粒间 (D2D) 互连，将整个扇出式封装视为单晶粒。然后将此智能设计安装到 BGA 基板上，为传统 2.5D 硅通孔 (TSV) 技术提供一种经济高效的替代方案。
S-SWIFT 的一个重要特性是 RDL，它能实现多个芯片之间更短的 D2D 互连。该设计将整个扇出式封装视为单晶粒，然后安装到 BGA 基板。通过集成这些先进功能，S-SWIFT 提供了一种比传统 2.5D TSV 技术更经济高效的替代方案。
封装结构
- 安装在高引脚数 BGA 基板上的扇出式封装倒装芯片
- RDL 有助于缩短多个芯片之间的 D2D 互连
芯片集成
- 在单个封装内集成多个小芯片
- 小芯片可以是不同的功能单元，例如 ASIC 或 HBM
无介质层设计
- 无需介质层，降低了复杂性和成本
电气性能
- 由于 D2D 连接较短，因此具有出色的电气性能
- 插入损耗更小、阻抗控制更好、翘曲度更低
高 I/O 密度
- 支持高 I/O 数量 (>1000)
- 非常适合大尺寸封装和网络/服务器应用
- 高成本效益：无需介质层，降低了封装成本
- 电气性能：提供更好的阻抗控制、更低的插入损耗和更低的翘曲度，从而提高电气性能
- 高 I/O 数量：支持超过 1000 个 I/O 的封装，非常适合网络和服务器应用
- 上市时间：利用现有的扇出/倒装芯片技术，该技术可缩短上市时间
与 2.5D 相比，S-SWIFT™ 技术成本更低、封装更薄、插入损耗更小、阻抗控制更好、翘曲度更低，从而具有卓越的电气性能。这些优势使 S-SWIFT 成为相关应用的理想选择。
关键应用包括：
- 高性能计算 (HPC)：通过高效实现关键互连，增强高性能计算应用能力
- 网络和服务器应用：高 I/O 密度使 S-SWIFT 成为满足网络和服务器需求的理想选择
- 人工智能 (AI)：卓越的电气性能和高速、低延迟的芯片间互连，非常适合需要大量内存和计算能力的 AI 应用
- ASIC 和 HBM：S-SWIFT 的芯片后置技术适用于封装 ASIC 和 HBM
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