革命性的桥接晶片中介层技术解决方案
Amkor 的 Silicon Connect (S-Connect) 技术是半导体封装领域的一项重大进步，可提供高性能、高能效的计算解决方案。S-Connect 在单个封装内集成了多个硅晶片，提高了性能、灵活性和小型化。
这项技术采用嵌入式硅桥接晶片进行芯片间连接，实现高带宽芯片间互连。其优点包括将高密度布线从高密度扇出 (HDFO) 转移到硅桥接、可扩展到大型模块、以及优化放置集成无源器件 (IPD) 电容器以改善功率传输。
主要特色
福利
选项
- 成熟的 HDFO 技术 (S-SWIFT) 的扩展技术
- 采用嵌入式硅连接晶片的桥接技术，实现高带宽晶片间互连
- IPD 嵌入可改善功率输出 (PDN) 和信号完整性
- S-Connect 与中介层相结合可以实现：
- 模塑局部 S-Connect 晶片（TSV：可选）
- 靠近 ASIC 的模塑 IPD 可增强信号完整性
- 模塑铜高柱，用于垂直传输信号和功率输出
- 附加 RDL，实现设计灵活性
- 前所未有的集成度：S-Connect 能够在单个封装内无缝集成多个硅晶片。在紧凑、高密度的配置中体验 CPU、GPU 和小芯片的融合，开启计算能力的新时代。
- 模块化设计，带来无限可能：S-Connect 支持模块化方法，允许独立开发小芯片作为功能块。轻松混合和搭配组件，定制您的计算解决方案以获得最佳性能和功能。
- 重新定义效率：散热路径保持在功能晶片的后部，直接连到封装盖或最终的散热器解决方案。热界面材料 (TIM) 可以使用传统的有机或金属铟 TIM 材料来增强功率耗散。
- 根据需求进行扩展：无论是节能的移动设备还是高性能计算系统，S-Connect 都可以无缝扩展。这项技术具有灵活性，可以满足不同的市场需求，提供统一的创新平台。
- 加速创新，加快上市时间：S-Connect 通过简化设计流程来加速创新。加快开发尖端解决方案，并在多种设计中重复使用通用小芯片，同时根据需要优化其他晶片。
- 无 TSV 桥接：
- D2D 互连焦点
- 40-50 µm 线距
- 可实现高纵横比桥接
- TSV 桥接：
- ASIC + HBM 集成
- >40 µm µbump 线距
- 可实现背面互连
- IPD 贴装选项：
- 模塑中的 IPD
- 模塑下的 IPD
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