고성능 저에너지 요구충족

Through Silicon Via (TSV) interconnect는 최저 에너지 소비/성능 지수에서도 매우 높은 성능과 기능성을 요구하는 광범위한 2.5D TSV와 3D TSV 패키징 애플리케이션 및 아키텍처를 지원하기 위해 출현했습니다. 2.5D/3D TSV 아키텍처에서 TSV 사용이 가능하도록 앰코는 TSV 웨이퍼 및 어셈블리의 양산이 가능한 몇 가지 백엔드 기술 플랫폼을 개발했습니다. 앰코의 TSV 웨이퍼 공정은 미리 TSV가 형성된 300mm 웨이퍼로 시작됩니다. 웨이퍼 프로세스는 웨이퍼를 얇게 만들고, 웨이퍼 뒷면에 금속배선을 생성하여 TSV 상호연결을 완성합니다. TSV 노출과 뒷면 금속배선형성 공정을 보통 MEOL (Middle-End-Of-Line)이라고 합니다. 앰코는 파운드리 웨이퍼 내에 TSV 형성을 제공하지는 않습니다.

앰코의 MEOL 생산 도구 및 공정은 다음과 같습니다.

  • Wafer support bond and debonding
  • TSV wafer thinning
  • TSV reveal and CMP
  • Back side passivation
  • Redistribution as required
  • Lead-free plating of micro-pillar and C4 interconnects
  • Wafer level probe and mid-assembly test for TSV products

Q & A

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