앰코의 대표 기술인 인터포저 PoP (Interposer Package on Package) 플랫폼은 NCP를 활용한 열압착 공정 (TCNCP) 방식, 모세관 언더필 (Capillary Underfill, CUF) 및 Mass Reflow 방식을 통해 미세피치 플립칩 연결 방식을 지원합니다. Cu Core Ball(CCB)과 열압착 본딩으로 상부 인터포저와 하부기판을 연결합니다. 인터포저와 하부기판을 Cu Core Ball로 연결하면 인터포저가 탑재된 기기의 속도와 상호연결 접속의 밀도를 높일 수 있습니다. 신뢰성이 높은 이 패키지는 두 기판 사이의 다이를 감싸는 에폭시 몰드 컴파운드를 사용하여 Warpage 문제를 줄일 수 있습니다. 상대적으로 제약이 있는 Through Mold Via(TMV®)와 비교 시, 상부 인터포저는 상단에 다양한 디바이스 (메모리, 수동소자, 다이 등)를 결합할 수 있습니다.
하부 서브스트레이트와 인터포저 사이의 미세 피치 연결을 통해 대량의 고밀도 I/O 연결이 가능합니다. TMV 연결방식과 비교하면, 인터포저 PoP 방식은 미세 피치의 인터커넥트 를 사용해 다이 크기를 늘리더라도 패키지 크기를 늘릴 필요가 없게 됩니다. 앰코는 4nm 최첨단 웨이퍼를 사용하는 인터포저 PoP의 대량생산 경험이 있으며, 4nm 이하의 웨이퍼를 사용한 프로젝트 또한 진행 중입니다. 앰코는 다양한 고객을 위해 수많은 종류의 제품을 우수한 성능으로 생산해 왔습니다.
특징
- 10-16 mm 바디 사이즈(일반): 주문 맞춤형 바디 사이즈 제공 가능
- 다양한 상부면 연결이 가능한 상부 패키지 I/O 인터페이스 (다이, 수동소자 등)
- 100 μm 미만 웨이퍼 가공 및 핸들링 가능
- 안정적인 제품 성능 및 신뢰성을 갖춘 검증된 PoP (Package-on-Package) 플랫폼
- 대량생산에 최적화된 패키지 기술
- 다양한 구성으로 제공 가능한 스택 패키지 높이 (0.55 mm 이상)
- 상단 및 하단 기판 사이의 직접, 고밀도 전기 연결로
대기 시간 단축 및 신호 속도 향상 가능
- 두 기판 사이 다이를 에폭시 몰드 컴파운드(EMC)로
밀봉하여 유닛 Warpage 감소 - TMV 인터커넥트 레이아웃에 비해 더 높은 상부 부착 유연성을 제공하는 상부 인터포저
- 인터포저 PoP 패키지 설계 덕분에 다양한 장치 (메모리, 수동소자, 다이 등)와 결합 가능한 상부 인터포저
- 촘촘한 CCB 피치 연결 및 상단 인터포저 팬아웃 라우팅으로 고밀도 및 대량 I/O 인터커넥트 가능
Q & A
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