電気特性および熱特性が強化されたパワーパッケージ
PowerCSP™は、革新的なチップスケール・パワートランジスタ・パッケージです。シンプルな構造、優れた電気特性と熱特性、およびディスクリートパッケージングまたはパッケージングインテグレーションの課題に適合する高密度フォームファクタを備えます。
パッケージの特徴:
- 30%〜70%のパッケージ容量内での高率な導電体
- CMOS、GaNおよびSiCに対応
- 両面パワーパッケージでのカスタムおよび標準的なピンレイアウト
- ソースまたはドレインのPCBへの直接接続
- 統合型パワービルディングブロック
- 他のディスクリートパッケージと比較して低抵抗(Rds)、低インダクタンス(Lds)、良好な入力容量(Ciss)
- 熱インターフェイスと電気インターフェイスの低減
- 小型フォームファクタ、チップスケールパッケージ(CSP)
New Developments
- 旧来のディスクリートパッケージングと比較して損失の多いインターフェイスを無くします
- ソースとドレインの接続領域が最大化されています
- シンプルなパッケージ構造により、ソース/ドレイン/ゲートへ直接接続するクリップやワイヤが不要になります
アプリケーション
PowerCSP™は以下のような低オン抵抗と高速スイッチングMOSFET用に設計され、パワーアプリケーションに最適です
- DC/DC変換
- 電気自動車およびハイブリッド電気自動車
- 通信/データセンター
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