電気特性および熱特性が強化されたパワーパッケージ

PowerCSP™は、革新的なチップスケール・パワートランジスタ・パッケージです。シンプルな構造、優れた電気特性と熱特性、およびディスクリートパッケージングまたはパッケージングインテグレーションの課題に適合する高密度フォームファクタを備えます。

パッケージの特徴:

  • 30%〜70%のパッケージ容量内での高率な導電体
  • CMOS、GaNおよびSiCに対応
  • 両面パワーパッケージでのカスタムおよび標準的なピンレイアウト
  • ソースまたはドレインのPCBへの直接接続
  • 統合型パワービルディングブロック
  • 他のディスクリートパッケージと比較して低抵抗(Rds)、低インダクタンス(Lds)、良好な入力容量(Ciss)
  • 熱インターフェイスと電気インターフェイスの低減
  • 小型フォームファクタ、チップスケールパッケージ(CSP)

New Developments

  • 旧来のディスクリートパッケージングと比較して損失の多いインターフェイスを無くします
  • ソースとドレインの接続領域が最大化されています
  • シンプルなパッケージ構造により、ソース/ドレイン/ゲートへ直接接続するクリップやワイヤが不要になります
PowerCSP

アプリケーション

PowerCSP™は以下のような低オン抵抗と高速スイッチングMOSFET用に設計され、パワーアプリケーションに最適です

  • DC/DC変換
  • 電気自動車およびハイブリッド電気自動車
  • 通信/データセンター

 

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