革新的なブリッジダイインターポーザ技術ソリューション
AmkorのSilicon Connect（S-Connect）テクノロジーは、半導体パッケージングにおける大きな進歩であり、高性能でエネルギー効率の高いコンピューティングソリューションを提供します。S-Connectは、複数のシリコンダイを1つのパッケージに統合し、性能、柔軟性、小型化を向上させます。
この技術は、チップ間接続に埋め込みシリコンブリッジダイを使用するため、高帯域幅のデバイス間相互接続が可能になります。利点には、高密度ファンアウト（HDFO）からシリコンブリッジへの高密度配線のオフロード、大規模モジュールへの拡張性、電力供給を改善するための集積型パッシブデバイス（IPD）コンデンサの最適な配置が含まれます。
主な特徴
福利厚生
オプション
- 実績のあるHDFO技術の拡張技術（S-SWIFT）
- シリコン接続ダイを埋め込んだブリッジ技術により高帯域幅のダイ間相互接続を実現
- 電力供給（PDN）とシグナルインテグリティを向上させるためのIPD埋め込み
- S-Connectとインターポーザレイヤを組み合わせると、次のことが可能になります。
- モールドローカルS-Connectダイ（TSV：オプション）
- ASICに近いモールドIPDでシグナルインテグリティを強化
- 垂直パススルー 信号と電力供給用の成形Cuトールピラー
- 設計の柔軟性を高める追加RDL
- 前例のない統合： S-Connectは、複数のシリコンダイを1つのパッケージにシームレスに統合することができます。CPU、GPU、チップレットをコンパクトで高密度な構成で融合させ、コンピューティングパワーの新時代を切り開きます。
- モジュラー設計、無限の可能性： S-Connectは、モジュール式アプローチを強化し、チップレットを独立機能ブロックとして開発することを可能にします。コンポーネントを簡単に組み合わせて、最適なパフォーマンスと機能を実現するコンピューティングソリューションをカスタマイズします。
- 効率性の再定義： 熱放散経路は、機能ダイの背面から離れて、パッケージ化された蓋または最終的なヒートシンクソリューションに直接維持されます。熱界面材料（TIM）は、従来の有機または金属のインジウムTIM材料を使用して、消費電力を強化できます。
- ニーズに合わせてスケーラブルに拡張可能： 電力効率の高いモバイルデバイスでも、ハイパフォーマンスコンピューティングシステムでも、S-Connectはシームレスに拡張できます。このテクノロジーは、多様な市場ニーズに柔軟に対応し、イノベーションのための統一プラットフォームを提供します。
- イノベーションの加速と市場投入の迅速化： S-Connectは、設計プロセスを効率化することでイノベーションを加速します。最先端のソリューションを迅速に開発し、複数の設計で共通のチップレットを再利用しながら、必要に応じて他のダイを最適化します。
- TSVブリッジなし：
- D2D相互接続に焦点
- 40-50μmピッチ
- 高アスペクト比ブリッジが可能
- TSVブリッジ：
- ASIC + HBMの統合
- 40μm超μバンプピッチ
- 裏面相互接続が可能
- IPDアタッチオプション：
- モールド内のIPD
- モールド下のIPD
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